BJTとFETの違い

FETBJT vs FET

トランジスタはその構造に応じて分類でき、より一般的に知られている2つのトランジスタ構造はBJTとFETです。



BJT、またはバイポーラ接合トランジスタは、商業的に大量生産された最初の種類でした。 BJTは、少数キャリアと多数キャリアの両方を使用して動作し、その3つの端子には、ベース、エミッタ、およびコレクタの対応する名前があります。これは基本的に、ベースコレクタ接合とベースエミッタ接合の2つのP-N接合で構成されています。薄い介在半導体であるベース領域と呼ばれる材料が、これら2つの接合部を分離します。



バイポーラ接合トランジスタは、コレクタ電流とエミッタ電流がベースの小さな電流によって効果的に制御されるため、デバイスの増幅に非常に役立ちます。制御される電流が2種類の半導体材料「P」と「N」を通過するため、これらの名前が付けられています。電流は、基本的に、バイポーラトランジスタの別々の部分にある正孔と電子の両方の流れで構成されます。

BJTは基本的に電流のレギュレータとして機能します。小さな電流が大きな電流を調整しています。ただし、それらが電流レギュレータとして適切に動作するには、ベース電流とコレクタ電流が正しい方向に移動している必要があります。



FET(電界効果トランジスタ)も2点間の電流を制御しますが、BJTとは異なる方法を使用します。名前が示すように、FETの機能は、電界の影響、および特定のタイプの半導体材料の過程での電子の流れまたは動きに依存します。この事実に基づいて、FETはユニポーラトランジスタと呼ばれることもあります。

FETは、導通に正孔(Pチャネル)または電子(Nチャネル)のいずれかを使用し、ソース、ドレイン、ゲートの3つの端子があり、ほとんどの場合、ボディがソースに接続されています。多くのアプリケーションでは、FETは基本的に電圧制御デバイスです。 事実 その出力属性は、印加電圧に依存するフィールドによって確立されます。

概要:



1. BJTは、出力が入力電流に基づいて決定されるため電流制御デバイスですが、FETは、印加電圧の電界効果に依存するため、電圧制御デバイスと見なされます。

2. BJT(Bipolar Junction Transistor)は、少数キャリアと多数キャリア(正孔と電子)の両方を使用しますが、単極トランジスタと呼ばれることもあるFETは、導通に正孔または電子のいずれかを使用します。

3. BJTの3つの端子はベース、エミッタ、コレクタと呼ばれ、FETはソース、ドレイン、ゲートと呼ばれます。

4. BJTは、商業的に大量生産される最初のタイプです。

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